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1 월 (합동 해군)

반도체; 반도체 품질

상표 지정자 지정된 장치 제조 되었고 제어 정부의 사양에 따라 상영을 나타내는 데 사용 됩니다. 1 월 마크 j 작은 장치에 사용할 때 축약 이다.

접합

반도체; 반도체 품질

P 지역 및 실리콘 기판에 N 영역 사이의 경계입니다.

다단계 금속 화

반도체; 반도체 품질

금속 분리 레벨의 상호 연결 요구는 제외 하 고 다양 한 레벨 (Si02) 같은 유 전체와 금속의 여러 층의 증 착을 통해 형성.

n-채널

반도체; 반도체 품질

MOS 트랜지스터 두 인접 한 N 형 유포 (소스와 드레인)는 유 전체 (게이트) 브리지에 의해 형성 되는 MOS 과정. 소스와 기판 접지 및 포지티브 전압은 게이트, 네거티브 차지 (N-채널)의 전도성 시트에 적용 하면 아래 유 전체 기판의 표면에 생성 ...

중성자 방사선

반도체; 반도체 품질

기판에 소수 캐리어 수명 감소 시키기 위하여 제조 중 중성자 방사선 장치의 노출. 이 버스트 방사선에 노출 하는 동안 래치 회로의 가능성을 최소화 ...

비 파괴적인 본드 풀

반도체; 반도체 품질

모든 장치 또는 최소 풀 보다 낮은 당겨 힘을 주어진된 많은 장치 샘플에 모든 전선의 끌어 강조 파괴적인 본드 풀에 대 한 제한을 강제로.

비표준 부품

반도체; 반도체 품질

장치 사양 준비 계약자 보다 사양 준비 정부 조달.

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