Industry: 반도체
제외 하 고는 천 시간 당 %에서 표현 된 LTPD에 유사한.
패키지 캐비티 내부와 본딩 와이어로 연결 됩니다 다 전기 접촉 하 게 하는 패키지의 부분.
회로의 출력은 고정 되는 조건 두 전압 극단 중 하나 근처 및 이상 입력 신호에서 변화에 반응 합니다. 래치 방사선 유발, 하지만 전압 overstresses에서 결과 및 다른 원인 또한 수 있습니다 수 ...
접합 트랜지스터는 N 형이 미터와 N 형 수집기 사이의 P 형 자료를 배치 하 여 건설. 는이 미터는 기본에 대해 일반적으로 부정적인 및 수집기는 기본에 대해 일반적으로 ...
반도체 재료는 대부분 항공사 전자 되며 따라서 부정적인.
(적용 된 전기 바이어스와 높은 온도에 노출) 화상에에서 연장된 기간 (일반적으로 125 ° C에서 1000 시간)에 대 한 수행. 일반적으로 샘플 테스트입니다.
(절연 격리는 분리 하 여 완전 하 게 전달 하 여 회로 요소 아래와 혼동 하지 요소 사이의 장벽 산화물의 건설을 통해 반도체 장치에서 회로 요소 분리.
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